参数资料
| 型号： | NCV887300D1R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BST PWM CM 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| PWM 型： | 电流模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 1.1MHz |
| 占空比： | 89% |
| 电源电压： | 3.2 V ~ 40 V |
| 降压： | 无 |
| 升压： | 是 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCV887300D1R2GOSDKR |
NCV8873
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( ? 40 ° C < T J < 150 ° C, 3.2 V < V IN < 40 V, unless otherwise specified) Min/Max values are
guaranteed by test, design or statistical correlation.
Characteristic
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VOLTAGE ERROR OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER
Transconductance
VEA output resistance
VFB input bias current
Reference voltage
VEA maximum output voltage
VEA minimum output voltage
VEA sourcing current
VEA sinking current
g m,vea
R o,vea
I vfb,bias
V ref
V c,max
V c,min
I src,vea
I snk,vea
V FB – V ref = ± 20 mV
Current out of VFB pin
VEA output current, Vc = 2.0 V
VEA output current, Vc = 0.7 V
0.8
2.0
?
0.194
2.5
?
80
80
1.2
?
0.5
0.200
?
?
100
100
1.5
?
2.0
0.206
?
0.3
?
?
mS
M W
m A
V
V
V
m A
m A
GATE DRIVER
Sourcing current
Sinking current
Driving voltage dropout
Driving voltage source current
Backdrive diode voltage drop
Driving voltage
I src
I sink
V drv,do
I drv
V d,bd
V DRV
V DRV ≥ 6 V, V DRV ? V GDRV = 2 V
YY = 00
V GDRV ≥ 2 V
YY = 00
V IN ? V DRV , Iv DRV = 25 mA
V IN ? V DRV = 1 V
V DRV ? V IN , I d,bd = 5 mA
I VDRV = 0.1 ? 25 mA
YY = 00
600
500
?
35
?
6.0
800
600
0.3
45
?
6.3
?
?
0.6
?
0.7
6.6
mA
mA
V
mA
V
V
UVLO
Undervoltage lock ? out,
Threshold voltage
Undervoltage lock ? out,
Hysteresis
V uvlo
V uvlo,hys
V IN falling
V IN rising
2.95
50
3.05
150
3.15
250
V
mV
THERMAL SHUTDOWN
Thermal shutdown threshold
Thermal shutdown hysteresis
Thermal shutdown delay
T sd
T sd,hys
t sd,dly
T J rising
T J falling
From T J > T sd to stop switching
160
10
?
170
15
?
180
20
100
° C
° C
ns
http://onsemi.com
5
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