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参数资料
| 型号： | NDD02N60Z-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V IPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET IPAK-3 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.8 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 274pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NDD02N60Z-1G-ND NDD02N60Z-1GOS |
NDF02N60Z, NDD02N60Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
600
550
500
450
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
f = 1 MHz
T J = 150 ° C
400
350
1.0
300
250
200
150
C iss
0.10
0
T J = 125 ° C
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600
100
50
0
0
C rss
5
C oss
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Variation
15.0
14.0
13.0
12.0
11.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
Q GS
1
2
V DS
3
4
Q T
Q GD
5
6
7
V GS
V DS = 300 V
I D = 2.4 A
T J = 25 ° C
8 9 10
350
300
250
200
150
100
50
0
11
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = 300 V
I D = 2.4 A
V GS = 10 V
10.0
10
t d(off)
t r
t f
t d(on)
1.0
T J = 150 ° C
125 ° C
25 ° C
? 55 ° C
1.0
1
10
100
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Diode Forward Voltage versus
Current
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PDF描述 |
|---|---|
| HT102/RP34L-SC1-212 | TOOL HAND CRIMP RP34L SERIES |
| A6S-1104-PH | SWITCH DIP 1POS RAISED SMD |
| HT102/DF1BE-2428P | TOOL HAND CRIMP DF1BE 24-28AWG |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDD02N60ZT4G | 功能描述:MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD03N50Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3 |
| NDD03N50Z-1G | 功能描述:MOSFET 500V 2.6A HVFET IPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD03N50ZT4G | 功能描述:MOSFET 500V 2.6A HVFET DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD03N60Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 |
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