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参数资料
| 型号： | NDD04N50Z-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 3A IPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET IPAK-3 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 308pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 61W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NDD04N50Z-1G-ND NDD04N50Z-1GOS |
NDD04N50Z
10.0
700
650
600
550
C oss
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
f = 1 MHz
500
1.0
T J = 150 ° C
450
400
350
C rss
300
250
200
150
T J = 125 ° C
100
50
0.1
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
12
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Variation
300
10
8
Q GD
V DS
Q T
Q GS
V GS
250
200
6
4
150
100
2
V DS = 250 V
I D = 3.4 A
T J = 25 ° C
50
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
12
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = 250 V
I D = 3.4 A
V GS = 10 V
10.0
10
t d(off)
t r
t f
t d(on)
1.0
T J = 150 ° C
125 ° C
25 ° C
? 55 ° C
1
0.1
1
10
100
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Diode Forward Voltage versus
Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDD05N50ZT4G | MOSFET N-CH 500V 5A DPAK |
| NDF02N60ZH | MOSFET N CH 600V 2.4A TO220FP |
| NDF03N60ZH | MOSFET N CH 600V 4.8A TO220FP |
| NDF04N60ZH | MOSFET N CH 600V 4.8A TO220FP |
| NDF04N62ZG | MOSFET N-CH 620V 2OHM TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDD04N50ZT4G | 功能描述:MOSFET 500V 3A HV MOSFET DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD04N60Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 1.8 , 600 Volts |
| NDD04N60Z-1G | 功能描述:MOSFET NFET IPAK 600V 4A 1.8R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD04N60ZG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NDD Series 600 V 1.8 Ohm 83 W Surface Mount N-Channel Power MOSFET - TO-252-3 |
| NDD04N60ZT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 600V 4A 1.8R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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