参数资料
型号: NDF02N60ZG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 4.8OHM TO220FP
产品目录绘图: MOSFET TO-220, TO-220AB
标准包装: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.8 欧姆 @ 1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10.1nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 274pF @ 25V
功率 - 最大: 24W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FP
包装: 管件
其它名称: NDF02N60ZG-ND
NDF02N60ZGOS
NDF02N60Z, NDD02N60Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
100
10
1
V GS v 30 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 ms
dc
10 m s
10
1
V GS v 30 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 ms
dc
10 m s
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
0.01
0.1
1
PACKAGE LIMIT
10 100
1000
0.01
0.1
1
10
PACKAGE LIMIT
100
1000
10
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area NDD02N60Z
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area NDF02N60Z
1
0.1
50% (DUTY CYCLE)
20%
10%
5%
2%
1%
SINGLE PULSE
R q JC = 2.2 ° C/W
Steady State
0.01
1E ? 06
1E ? 05
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
PULSE TIME (s)
Figure 14. Thermal Impedance (Junction ? to ? Case) for NDD02N60Z
100
10 50% (DUTY CYCLE)
20%
10%
1
5.0%
2.0%
1.0%
0.1
R q JA = 41 ° C/W
0.01
1E ? 06
SINGLE PULSE
1E ? 05
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
Steady State
1E+02
1E+03
PULSE TIME (s)
Figure 15. Thermal Impedance (Junction ? to ? Ambient) for NDD02N60Z
http://onsemi.com
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NDF03N60Z 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 
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