参数资料
型号: NDF02N60ZG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 9/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 4.8OHM TO220FP
产品目录绘图: MOSFET TO-220, TO-220AB
标准包装: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.8 欧姆 @ 1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10.1nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 274pF @ 25V
功率 - 最大: 24W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FP
包装: 管件
其它名称: NDF02N60ZG-ND
NDF02N60ZGOS
NDF02N60Z, NDD02N60Z
PACKAGE DIMENSIONS
IPAK
CASE 369D
ISSUE C
V
B
R
C
E
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
S
1
4
2
3
A
Z
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN MAX
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
MILLIMETERS
MIN MAX
5.97 6.35
6.35 6.73
2.19 2.38
0.69 0.88
? T ?
SEATING
PLANE
F
G
K
J
D 3 PL
0.13 (0.005)
M
T
H
E 0.018 0.023
F 0.037 0.045
G 0.090 BSC
H 0.034 0.040
J 0.018 0.023
K 0.350 0.380
R 0.180 0.215
S 0.025 0.040
V 0.035 0.050
Z 0.155 ???
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
0.46 0.58
0.94 1.14
2.29 BSC
0.87 1.01
0.46 0.58
8.89 9.65
4.45 5.45
0.63 1.01
0.89 1.27
3.93 ???
http://onsemi.com
9
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参数描述
NDF02N60ZH 功能描述:MOSFET NFET 600V 2.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDF03N60Z 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 
NDF03N60ZG 功能描述:MOSFET 3.6 OHM 600V TO-220FP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDF03N60ZH 功能描述:MOSFET NFET 600V 3A 3.3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDF03N80Z 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N.Channel Power MOSFET