参数资料
型号: NDF02N60ZH
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N CH 600V 2.4A TO220FP
标准包装: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.8 欧姆 @ 1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 325pF @ 25V
功率 - 最大: 24W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FP
包装: 管件
NDF02N60Z, NDD02N60Z
10
50% (DUTY CYCLE)
1
20%
10%
5%
2%
0.1
1%
SINGLE PULSE
R q JC = 4.9 ° C/W
Steady State
0.01
1E ? 06
1E ? 05
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
PULSE TIME (s)
Figure 16. Thermal Impedance (Junction ? to ? Case) for NDF02N60Z
LEADS
HEATSINK
0.110 ″ MIN
Figure 17. Isolation Test Diagram
Measurement made between leads and heatsink with all leads shorted together.
*For additional mounting information, please download the ON Semiconductor
Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
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