- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录483 > NDF11N50ZH (ON Semiconductor)MOSFET N CH 500V 12A TO220FP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NDF11N50ZH |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 500V 12A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 520 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 69nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | * |
| 功率 - 最大： | 39W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
NDF11N50Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
10
T J = 150 ° C
3250
3000
2750
2500
2250
2000
1750
C rss
C oss
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
f = 1 MHz
1500
1
T J = 125 ° C
1250
1000
750
500
250
0.1
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Variation
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
Q GS
5
Q T
V DS
V GS
Q GD
V DS = 250 V
I D = 10.5 A
T J = 25 ° C
10 15 20 25 30 35 40 45
300
250
200
150
100
50
0
50
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = 250 V
I D = 10.5 A
V GS = 10 V
t d(off)
t r
t f
t d(on)
20
10
T J = 150 ° C
10
1
125 ° C
25 ° C
? 55 ° C
1
1
10
100
0.1
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Diode Forward Voltage versus
Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDFEB 6X10MM | MAGNET PERM NDFEB 6.0X10.0MM |
| NDP6020P | MOSFET P-CH 20V 24A TO-220 |
| NDP6030PL | MOSFET P-CH 30V 30A TO-220 |
| NDP6060L | MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB |
| NDS0605 | MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDF653 | 制造商:DYNEX 制造商全称:Dynex Semiconductor 功能描述:Fast Recovery Diode |
| NDF65310 | 制造商:DYNEX 制造商全称:Dynex Semiconductor 功能描述:Fast Recovery Diode |
| NDF65312 | 制造商:DYNEX 制造商全称:Dynex Semiconductor 功能描述:Fast Recovery Diode |
| NDF65314 | 制造商:DYNEX 制造商全称:Dynex Semiconductor 功能描述:Fast Recovery Diode |
| NDF65316 | 制造商:DYNEX 制造商全称:Dynex Semiconductor 功能描述:Fast Recovery Diode |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。