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参数资料
| 型号： | NDP7060 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 115nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Electrical Characteristics (continued)
1.15
100
1.1
1.05
1
0.95
I D = 250μA
50
10
1
0.1
0.01
V GS = 0V
T J = 125°C
25°C
-55°C
0.9
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
150
175
0.001
0.2
0.4 0.6 0.8 1 1.2
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature
5000
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature
20
3000
2000
C iss
15
I D = 75A
V DS = 12V
48V
1000
C oss
10
24V
500
f = 1 MHz
V GS = 0V
C rss
5
300
200
0
1
2
5
10
20
30
60
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Capacitance Characteristics
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 10. Gate Charge Characteristics
V DD
t on
t o f f
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V IN
R L
90%
90%
V GS
R GEN
G
D
DUT
V OUT
V O U T
10%
10%
90%
INVERTED
S
V IN
10%
50%
PULSE W IDTH
50%
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
NDP7060.SAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 930C6P1K-F | CAP FILM 0.1UF 630VDC AXIAL |
| MMWA4P22K-F | CAP FILM 0.22UF 400VDC AXIAL |
| MMWA4P22K | CAP FILM 0.22UF 400VDC AXIAL |
| 930C2P33K-F | CAP FILM 0.33UF 250VDC AXIAL |
| MC12CD010C-F | CAP MICA 1PF 500V 1210 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDP7060L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDP7061 | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDP7061_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDP7061L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDP708A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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