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参数资料
| 型号： | NDP7060 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 115nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Electrical Characteristics (continued)
60
50
V DS = 10V
T J = -55°C
300
100
R DS(O
N)
Lim
it
10
0μ
s
ms
0m
40
30
20
25°C
125°C
30
10
3
V GS = 20V
10
10
DC
1m
s
s
SINGLE PULSE
R θ JC = 1 C/W
10
1
o
T C = 25°C
0
0
10
20
30
40
50
60
0.3
1
2
3
5
10
20
30
60
100
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 13. Transconductance Variation with
Drain Current and Temperature
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. Maximum Safe Operating Area
0.5
D = 0.5
0.3
0.2
0.2
R θ JC (t) = r(t) * R θ JC
R θ JC = 1.0 °C/W
0.1
0.1
0.05
P(pk)
0.05
0.02
t 1
t 2
0.03
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
T J - T C = P * R θ JC (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
500
1000
t 1 ,TIME (ms)
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
NDP7060.SAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 930C6P1K-F | CAP FILM 0.1UF 630VDC AXIAL |
| MMWA4P22K-F | CAP FILM 0.22UF 400VDC AXIAL |
| MMWA4P22K | CAP FILM 0.22UF 400VDC AXIAL |
| 930C2P33K-F | CAP FILM 0.33UF 250VDC AXIAL |
| MC12CD010C-F | CAP MICA 1PF 500V 1210 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDP7060L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDP7061 | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDP7061_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDP7061L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDP708A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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