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参数资料
| 型号： | NDS9925A |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 V, 0.06 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | NDS9925A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS9933A/S62Z | 2700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| NDS9948/S62Z | 2300 mA, 60 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| NDT014/D84Z | 2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
| NDT2955/J23Z | 2.5 A, 60 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| NE080490 | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS9933 | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS9933A | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS9933A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| NDS9936 | 功能描述:MOSFET Dl N-Ch Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS9943 | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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