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参数资料
| 型号： | NE25139-T1-U73 |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 54K |
| 描述： | FET 900 MHZ SOT-143 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 晶体管类型： | MESFET 双栅极 |
| 频率： | 900MHz |
| 增益： | 20dB |
| 电压 - 测试： | 5V |
| 额定电流： | 40mA |
| 噪音数据： | 1.1dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 电压 - 额定： | 13V |
| 封装/外壳： | TO-253-4，TO-253AA |
| 供应商设备封装： | SOT-143 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NE25139-U73-T1 NE25139U73 NE25139U73-E1 NE25139U73-ND NE25139U73TR Q805260 |
Input Capacitance, C
ISS
(pF)
POWER GAIN AND NOISE FIGURE vs.
GATE 2 TO SOURCE VOLTAGE
Drain Current, ID
(mA)
POWER GAIN AND NOISE FIGURE vs.
DRAIN CURRENT
2.0
1.0
-1.0
0 +1.0
VG2S
= 1 V at I
D
= 10 mA
1
VG2S
= 1 V at I
D
= 5 mA
1
VDS
= 5 V
f = 1kHz
Gate 2 to Source Voltage, VG2S
(V)
INPUT CAPACITANCE vs.
GATE 2 TO SOURCE VOLTAGE
Gate 2 to Source Voltage, VG2S
(V)
NE25139
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(TA
= 25
°C)
Power Gain, G
P
(dB)
Note:
1. Initial bias conditions. VG1S
set to obtain
specified drain current.
Note:
1. Initial bias conditions. VG1S set to obtain
specified drain current.
Noise Figure, NF (dB)
Noise Figure, NF (dB)
Power Gain, G
P
(dB)
30
15
0
-15
-30
-45
-3.0 -2.0 -1.0 0 +1.0 +2.0
0
5
10
GPS
NF
VDS = 5 V
1
VG2S
= 1 V
ID
= 10 mA
f = 900 MHz
25
20
15
10
5
0
0 5 10
0
5
VDS
= 5 V
VG2S
= 1 V
f = 900 MHz
GPS
NF
10
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NE25139U71 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
| NE25139U72 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
| NE25139U73 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
| NE25139U74 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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