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参数资料
| 型号： | NE3503M04-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 282K |
| 描述： | AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 12GHz |
| 增益： | 12dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 70mA |
| 噪音数据： | 0.45dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | SC-82A，SOT-343 |
| 供应商设备封装： | SOT-343 |
| 包装： | 散装 |
Data Sheet PG10456EJ03V0DS
4
NE3503M04
S-PARAMETERS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE3510M04-A | HJ-FET N-CH 4GHZ M04 |
| CWX825-66.6666M | OSC 66.6666MHZ 5.0V +-50PPM SMD |
| NE3508M04-A | AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM |
| CWX825-64.0M | OSC 64.0000MHZ 5.0V +-50PPM SMD |
| C3292-80.000 | OSC 80.000 MHZ 5.0V +/-50PPM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE3503M04-T2-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3503M04-T2B-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET |
| NE3505M04-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET |
| NE3508M04 | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
| NE3508M04-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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