- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录96 > NE3512S02-T1C-A (CEL)HJ-FET NCH 13.5DB S02 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NE3512S02-T1C-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 296K |
| 描述： | HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 12GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 70mA |
| 噪音数据： | 0.35dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | 4-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | S02 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet PG10592EJ01V0DS
3
NE3512S02
TYPICAL CHARACTERISTICS
(TA
= +25?C, unless otherwise specified)
Remark
The graphs indicate nominal characteristics.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE3514S02-A | HJ-FET NCH 10DB S02 |
| NE3515S02-T1C-A | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
| NE3517S03-A | FET RF HJFET 20GHZ 4V 15MA S03 |
| NE3520S03-A | FET RF HFET 20GHZ 2V 10MA S03 |
| NE5500234-T1-AZ | MOSFET LD N-CH 4.8V 400MA SOT89 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE3512S02-T1D | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NE3512S02-T1D-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3513M04 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
| NE3513M04-A | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:IC HJ-FET RF N-CH LNA M04 4SMD |
| NE3513M04-T2 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。