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参数资料
| 型号： | NE3514S02-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 279K |
| 描述： | HJ-FET NCH 10DB S02 |
| 产品目录绘图： | NEx5 Series |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 20GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 70mA |
| 噪音数据： | 0.75dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | 4-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | S02 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 577 (CN2011-ZH PDF) |
Data Sheet PG10593EJ01V0DS
3
NE3514S02
TYPICAL CHARACTERISTICS
(TA
= +25?C, unless otherwise specified)
Remark
The graphs indicate nominal characteristics.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE3515S02-T1C-A | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
| NE3517S03-A | FET RF HJFET 20GHZ 4V 15MA S03 |
| NE3520S03-A | FET RF HFET 20GHZ 2V 10MA S03 |
| NE5500234-T1-AZ | MOSFET LD N-CH 4.8V 400MA SOT89 |
| NE5511279A-A | MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE3514S02-T1B-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET |
| NE3514S02-T1C | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE3514S02-T1C-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3514S02-T1D | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE3514S02-T1D-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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