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参数资料
| 型号： | NE3517S03-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 305K |
| 描述： | FET RF HJFET 20GHZ 4V 15MA S03 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 20GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 15mA |
| 噪音数据： | 0.7dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | S03 |
| 供应商设备封装： | S03 |
| 包装： | 散装 |
Data Sheet PG10787EJ01V0DS
4
NE3517S03
S-PARAMETERS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE3520S03-A | FET RF HFET 20GHZ 2V 10MA S03 |
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| NE5511279A-A | MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A |
| NE5520379A-A | MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A |
| NE552R479A-A | MOSFET LD N-CHAN 3V 79A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE3517S03-T1C | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs HJ-FET |
| NE3517S03-T1C-A | 功能描述:DISCRETE RF FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| NE3517S03-T1D | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs HJ-FET |
| NE3517S03-T1D-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 20GHz NF .7dB Typ Ga 13.5dB Typ RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3519M04 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:N-channel GaAs HJ-FET, L to C Band Low Noise Amplifier |
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