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参数资料
| 型号： | NE3520S03-T1C-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 474K |
| 描述： | FET RF HFET 20GHZ 2V 10MA S03 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 20GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 70mA |
| 噪音数据： | 0.65dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | S03 |
| 供应商设备封装： | S03 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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C - 1
Revision History NE3520S03 Data Sheet
Description
Rev. Date Page Summary
1.00 Oct 18, 2011 - First edition issued
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3214W-1-203E | TRIMMER 20K OHM 0.25W SMD |
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| NE3517S03-T1D-A | FET RF HFET 20GHZ 2V 10MA S03 |
| 3214W-1-102E | TRIMMER 1K OHM 0.25W SMD |
| 3214X-1-103E | TRIMMER 10K OHM 0.25W SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NE3521M04 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain |
| NE3521M04-T2 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain |
| NE3521M04-T2-A | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain |
| NE3521M04-T2B | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain |
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