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参数资料
| 型号： | NE5511279A-T1-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 372K |
| 描述： | MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 900MHz |
| 增益： | 15dB |
| 电压 - 测试： | 7.5V |
| 额定电流： | 3A |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 40dBm |
| 电压 - 额定： | 20V |
| 封装/外壳： | 79A |
| 供应商设备封装： | 79A |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NE5511279A-T1-ADKR |
Data Sheet PU10322EJ01V0DS
5
NE5511279A
PACKAGE DIMENSIONS
79A (UNIT: mm)
79A PACKAGE RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT (UNIT: mm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC12FD360G-TF | CAP MICA 36PF 500V 2% 1210 |
| 5500.1055.1 | 5500 MAIN FILTER 10A |
| 150222K1000CB | CAP FILM 2200PF 1KVDC AXIAL |
| 150152J1000CB | CAP FILM 1500PF 1KVDC AXIAL |
| EVQ-PJJ05T | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE5511279A-T1A-A | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET |
| NE5512 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual high-performance operational amplifier |
| NE5512D | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual high-performance operational amplifier |
| NE5512N | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Operational Amplifier, Dual AMP, Bipolar, 8 Pin, Plastic, DIP |
| NE5514 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Quad high-performance operational amplifier |
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