参数资料
| 型号： | NE5517DR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 放大器类型： | 跨导 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 推挽式 |
| 转换速率： | 50 V/µs |
| 增益带宽积： | 2MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 400nA |
| 电压 - 输入偏移： | 400µV |
| 电流 - 电源： | 2.6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 650µA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
12
+VCC
+
NE5517/A
VOUT
VCC
+VCC
INT
VC
800pF
+
NE5517/A
+VCC
VCC
800pF
VCC
6
11
3
2
1
5
7
13
15
14
12
10
16
LOW
PASS
9
BANDPASS OUT
Figure 31. State Variable Filter
10kW
1kW
20kW
5.1kW
1kW
15kW
20kW
5.1kW
+VCC
+
NE5517/A
VOUT2
VCC
+VCC
INT
+
NE5517/A
+VCC
VCC
6
11
4
3
5
7
14
13
12
10
VOUT1
GAIN
CONTROL
1
16
VC
C
0.1mF
8
INT
+VCC
9
Figure 32. TriangleSquare Wave Generator (VCO)
30kW
20kW
47kW
10kW
IB
NOTE:
VPK +
(VC * 0.8) R1
R1 ) R2
TH +
2VPK xC
IB
TL +
2VPKxC
IC
fOSC
IC
2VPKxC
IC tt IB
+VCC
+
NE5517/A
VOUT2
VCC
+VCC
INT
+
NE5517/A
+VCC
VCC
6
11
4
3
5
7
14
13
12
10
VOUT1
1
16
VC
C
0.1mF
8
INT
+VCC
2
R1
R2
IC
Figure 33. Sawtooth Pulse VCO
470kW
30kW
20kW
30kW
47kW
30kW
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NE5517D-T | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier |
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| NE5517NG | 功能描述:跨导放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |
| NE5520279A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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