型号: | NE5517N |
厂商: | ON Semiconductor |
文件页数: | 6/15页 |
文件大小: | 0K |
描述: | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP |
产品变化通告: | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
标准包装: | 25 |
放大器类型: | 跨导 |
电路数: | 2 |
输出类型: | 推挽式 |
转换速率: | 50 V/µs |
增益带宽积: | 2MHz |
电流 - 输入偏压: | 400nA |
电压 - 输入偏移: | 400µV |
电流 - 电源: | 2.6mA |
电流 - 输出 / 通道: | 650µA |
电压 - 电源,单路/双路(±): | 4 V ~ 44 V,±2 V ~ 22 V |
工作温度: | 0°C ~ 70°C |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | 16-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商设备封装: | 16-DIP |
包装: | 管件 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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OP07DRZ-REEL | IC OPAMP GP 600KHZ LN 15MA 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NE5517NG | 功能描述:跨导放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |
NE5520279A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
NE5520279A-A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
NE5520279A-EVPW04 | 功能描述:射频开发工具 Silicon Medium Pwr LDMOS RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |
NE5520279A-EVPW09 | 功能描述:射频开发工具 For NE5520279A-A Power at 900 MHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |