参数资料
| 型号： | NE5517N |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 25 |
| 放大器类型： | 跨导 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 推挽式 |
| 转换速率： | 50 V/µs |
| 增益带宽积： | 2MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 400nA |
| 电压 - 输入偏移： | 400µV |
| 电流 - 电源： | 2.6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 650µA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 16-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 16-DIP |
| 包装： | 管件 |
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
3
NOTE: V+ of output buffers and amplifiers are internally connected.
B
AMP
BIAS
INPUT
B
DIODE
BIAS
B
INPUT
(+)
B
INPUT
()
B
OUTPUT
V+ (1)
B
BUFFER
INPUT
B
BUFFER
OUTPUT
AMP
BIAS
INPUT
DIODE
BIAS
INPUT
(+)
INPUT
()
OUTPUT
V
BUFFER
INPUT
BUFFER
OUTPUT
A
AA
A
123
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
+
B
+
A
Figure 2. Connection Diagram
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Supply Voltage (Note 1)
VS
44 VDC or ±22
V
NE5517N, NE5517AN
NE5517D, AU5517D
PD
1500
1125
mW
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient
D Package
N Package
RqJA
140
94
°C/W
Differential Input Voltage
VIN
±5.0
V
Diode Bias Current
ID
2.0
mA
Amplifier Bias Current
IABC
2.0
mA
Output Short-Circuit Duration
ISC
Indefinite
Buffer Output Current (Note 3)
IOUT
20
mA
Operating Temperature Range
NE5517N, NE5517AN
AU5517T
Tamb
0 °C to +70 °C
40 °C to +125 °C
°C
Operating Junction Temperature
TJ
150
°C
DC Input Voltage
VDC
+VS to VS
Storage Temperature Range
Tstg
65 °C to +150 °C
°C
Lead Soldering Temperature (10 sec max)
Tsld
230
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. For selections to a supply voltage above ±22 V, contact factory.
2. The following derating factors should be applied above 25 °C
N package at 10.6 mW/°C
D package at 7.1 mW/°C.
3. Buffer output current should be limited so as to not exceed package dissipation.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NE5520279A-A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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| NE5520279A-EVPW09 | 功能描述:射频开发工具 For NE5520279A-A Power at 900 MHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |
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