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参数资料
| 型号： | NE552R479A-T1-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 599K |
| 描述： | MOSFET LD N-CHAN 3V 79A |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 |
| 频率： | 2.45GHz |
| 增益： | 11dB |
| 电压 - 测试： | 3V |
| 额定电流： | 300mA |
| 电流 - 测试： | 200mA |
| 功率 - 输出： | 26dBm |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | 79A |
| 供应商设备封装： | 79A |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet PU10124EJ03V0DS
6
NE552R479A
PACKAGE DIMENSIONS
79A (UNIT: mm)
79A PACKAGE RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT (UNIT: mm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCN2416H224J-D4 | CAP FILM 0.22UF 50VDC 2416 |
| 184334K100RCB-F | CAP FILM 0.33UF 100VDC RADIAL |
| 184334K100RCA-F | CAP FILM 0.33UF 100VDC RADIAL |
| 3214X-1-202E | TRIMMER 2K OHM 0.25W SMD |
| 167334K63A-F | CAP FILM 0.33UF 63VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE552R479A-T1A-A | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
| NE552R679A | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS |
| NE552R679A-A | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:SILICON MEDIUM POWER LDMOSFET, ROHS COMPLIANT - Product that comes on tape, but is not reeled 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:IC RF LDMOS FET 3V 79A PKG |
| NE552R679A-T1 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS |
| NE552R679A-T1A | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS |
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