参数资料
| 型号： | NE5532DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP DUAL LOW NOISE 16-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 转换速率： | 9 V/µs |
| 增益带宽积： | 10MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 200nA |
| 电压 - 输入偏移： | 500µV |
| 电流 - 电源： | 8mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 38mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±3 V ~ 20 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NE5532DR2GOSDKR |
NE5532, SA5532, SE5532, NE5532A, SE5532A
http://onsemi.com
3
Characteristic
Symbol
Test Conditions
SE5532/A
NE5532/A, SA5532
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Offset Voltage
VOS
0.5
2.0
0.5
4.0
mV
Overtemperature
3.0
5.0
mV
DVOS/DT
5.0
5.0
mV/°C
Offset Current
IOS
100
10
150
nA
Overtemperature
200
200
nA
DIOS/DT
200
200
pA/°C
Input Current
IB
300
500
300
800
nA
Overtemperature
700
1000
nA
DIB/DT
5.0
5.0
nA/°C
Supply Current
ICC
8.0
10.5
8.0
16
mA
Overtemperature
13
Common-Mode Input Range
VCM
"12
"13
"12
"13
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
80
100
70
100
dB
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
10
50
10
100
mV/V
Large-Signal Voltage Gain
AVOL
RL w 2.0 kW; VO = "10 V
50
100
25
100
V/mV
Overtemperature
25
15
RL w 600 W; VO = "10 V
40
50
15
50
Overtemperature
20
10
Output Swing
VOUT
RL w 600 W
"12
"13
"12
"13
V
Overtemperature
"10
"12
"10
"12
RL w 600 W; VS = "18 V
"15
"16
"15
"16
Overtemperature
"12
"14
"12
"14
RL w 2.0 kW
"13
"13.5
"13
"13.5
Overtemperature
"12
"12.5
"10
"12.5
Input Resistance
RIN
30
300
30
300
kW
Output Short Circuit Current
ISC
10
38
60
10
38
60
mA
2. Diodes protect the inputs against overvoltage. Therefore, unless current-limiting resistors are used, large currents will flow if the differential input
voltage exceeds 0.6 V. Maximum current should be limited to "10 mA.
3. For operation at elevated temperature, derate packages based on the package thermal resistance.
4. Output may be shorted to ground at VS = "15 V, Tamb = 25°C. Temperature and/or supply voltages must be limited to ensure dissipation rating
is not exceeded.
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PDF描述 |
|---|---|
| TSW-141-23-S-D | CONN HEADER 82POS .100" DL GOLD |
| 77311-119-04LF | BERGSTIK |
| AD5750BCPZ-REEL | IC CURR/VOLT OUT DVR 32LFCSP |
| RNCP0603FTD274R | RES 274 OHM 1% 0603 SMD |
| TSW-137-26-G-D | CONN HEADER 74POS .100" DL GOLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE5532DRE4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Low-Noise Hi-Speed Audio RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| NE5532DRG4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Low-Noise Hi-Speed Audio RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| NE5532DX | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual OP amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| NE5532FE | 制造商:SIG 功能描述:5532 SIGNETICS S6I6B |
| NE5532I | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:DUAL LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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