参数资料
| 型号： | NE5532DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP DUAL LOW NOISE 16-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 转换速率： | 9 V/µs |
| 增益带宽积： | 10MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 200nA |
| 电压 - 输入偏移： | 500µV |
| 电流 - 电源： | 8mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 38mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±3 V ~ 20 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NE5532DR2GOSDKR |
NE5532, SA5532, SE5532, NE5532A, SE5532A
http://onsemi.com
4
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25°C; VS = "15 V, unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Test Conditions
NE/SE5532/A, SA5532
Unit
Min
Typ
Max
Output Resistance
ROUT
AV = 30 dB Closed-loop
f = 10 kHz, RL = 600 W
0.3
W
Overshoot
Voltage-Follower
%
VIN = 100 mVP-P
10
CL = 100 pF; RL = 600 W
Gain
AV
f = 10 kHz
2.2
V/mV
Gain Bandwidth Product
GBW
CL = 100 pF; RL = 600 W
10
MHz
Slew Rate
SR
9.0
V/ms
Power Bandwidth
VOUT = "10 V
140
kHz
VOUT = "14 V;
RL = 600 W
100
VCC = "18 V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25°C; VS = "15 V, unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Test Conditions
NE/SE5532
NE/SA/SE5532A
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Input Noise Voltage
VNOISE
fO = 30 Hz
8.0
8.0
12
nV/√Hz
fO = 1.0 kHz
5.0
5.0
6.0
Input Noise Current
INOISE
fO = 30 Hz
2.7
2.7
pA/√Hz
fO = 1.0 kHz
0.7
0.7
Channel Separation
f = 1.0 kHz; RS = 5.0 kW
110
110
dB
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PDF描述 |
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参数描述 |
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