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参数资料
| 型号： | NE55410GR-AZ |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 649K |
| 描述： | MOSFET LD N-CHAN 28V 16-HTSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.14GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 250mA，1A |
| 电流 - 测试： | 20mA |
| 功率 - 输出： | 35.4dBm |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-HTSSOP |
| 包装： | 散装 |
Data Sheet PU10542EJ02V0DS
4
NE55410GR
RF CHARACTERISTICS (TA
= +25?C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Q1
Gain 1 dB Compression Output Power
PO (1 dB)
f = 2 140 MHz, VDS
= 28 V,
?
35.4
?
dBm
Drain Efficiency
?d
IDset
= 20 mA
?
52
?
%
Linear Gain
GL
Pin
= 15 dBm
12
13.5
?
dB
Q2
Gain 1 dB Compression Output Power
PO (1 dB)
f = 2 140 MHz, VDS
= 28 V,
?
40.4
?
dBm
Drain Efficiency
?d
IDset
= 100 mA
?
46
?
%
Linear Gain
GL
Pin
= 20 dBm
9.5
11
?
dB
Gain 1 dB Compression Output Power
PO (1 dB)
f = 1 840 MHz, VDS
= 28 V,
?
40.5
?
dBm
Drain Efficiency
?d
IDset
= 100 mA
?
49
?
%
Linear Gain
GL
Pin
= 20 dBm
?
14
?
dB
Q1 + Q2
Gain 1 dB Compression Output Power
PO (1 dB)
f = 880 MHz, VDS
= 28 V,
?
41.5
?
dBm
Drain Efficiency
?d
IDset
= 120 mA (Q1 + Q2)
?
55
?
%
Linear Gain
GL
Pin
= 5 dBm
?
30
?
dB
Gain 1 dB Compression Output Power
PO (1 dB)
f = 2 140 MHz, VDS
= 28 V,
?
40.0
?
dBm
Drain Efficiency
?d
IDset
= 120 mA (Q1 + Q2)
34
42
?
%
Output Power
Pout
Pin
= 16 dBm
39
40
?
dB
Linear Gain
GL
Pin
= 10 dBm
24
25
?
dB
3rd Order Intermodulation Distortion
IM3
f = 2 132.5/2 147.5 MHz, VDS
= 28 V,
2 carrier W-CDMA 3GPP, Test
Model1, 64DPCH, 67% Clipping,
IDset
= 120 mA (Q1 + Q2),
Ave Pout
= 33 dBm
?
?40
?
dBc
Drain Efficiency
?d
?
21
?
%
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参数描述 |
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