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参数资料
| 型号： | NID9N05CL |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH CLAMP 9A 52V DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 09/Jan/2008 |
| 标准包装： | 75 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 153 毫欧 |
| 电流 - 峰值输出： | 9A |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 管件 |
NID9N05CL, NID9N05ACL
500
400
300
Frequency = 10 kHz
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
200
100
C oss
C iss
0
0
C rss
10
20
30
40
50
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
5
4
3
Q gs
Q T
Q gd
V GS
50
40
30
10,000
V DD = 40 V
I D = 9 A
V GS = 10 V
t d(off)
2
1
V DS
I D = 9 A
T J = 25 ° C
20
10
1000
t f
t r
t d(on)
0
0
1
2
3
4
5
0
100
1
10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage versus Total Charge
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
DRAIN ? TO ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
10
8
6
4
2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RMM06DTKN | CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD |
| 591D477X0004C2T20H | CAP TANT 470UF 4V 20% 2812 |
| 591D476X9016C2T20H | CAP TANT 47UF 16V 10% 2812 |
| 591D476X0016C2T20H | CAP TANT 47UF 16V 20% 2812 |
| 050R30-102B | CABLE FLAT FLEX 30POS 0.5MM 4" |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NID9N05CL_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NID9N05CLG | 功能描述:MOSFET 52V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NID9N05CLT4 | 功能描述:MOSFET 52V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NID9N05CLT4G | 功能描述:MOSFET 52V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIDAQCARD-6533 | 制造商:NI 制造商全称:National Instruments Corporation 功能描述:High-Speed 32-bit Digital Pattern I/O and Handshaking |
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