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参数资料
| 型号： | NIF5003NT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 42V 14A SOT223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HDPlus™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 53 毫欧 |
| 电流 - 峰值输出： | 14A |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NIF5003NT1OSCT |
NIF5003N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
35
30
25
20
15
10
V GS = 9 V
V GS = 7 V
V GS = 6 V
Current Limit
Inception Region
V GS = 10 V
V GS = 8 V
V GS = 5 V
20
18
16
14
12
10
8
6
V DS ≥ 10 V
T J = ? 55 ° C
25 ° C
100 ° C
5
0
0
0.5
1
1.5
2
T J = 25 ° C
2.5 3
3.5
V GS = 4 V
V GS = 3 V
4 4.5
5
4
2
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
1.0
0.9
0.8
I D = 3 A
T J = 25 ° C
0.075
0.07
0.065
T J = 25 ° C
V GS = 5 V
0.7
0.06
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.055
0.05
0.045
0.04
0.035
V GS = 10 V
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.03
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.6
I D = 3 A
V GS = 5 V
100000
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.2
1000
T J = 100 ° C
1.0
100
0.8
0.6
? 50 ? 30 ? 10
10
30
50
70
90
110 130 150
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GMM06DRUS | CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD |
| RBC08DRTH-S93 | CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD |
| GSM06DRKN | CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD |
| 100R6-76B | CABLE FLAT FLEX 6POS 1MM 3" |
| 0210490772 | CABLE JUMPER 1.25MM .102M 9POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NIF5003NT1G | 功能描述:MOSFET 42V 14A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIF5003NT3 | 功能描述:MOSFET 42V 14A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIF5003NT3G | 功能描述:MOSFET 42V 14A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIF62514 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-protected FET with Temperature and Current Limit |
| NIF62514_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self−protected FET with Temperature and Current Limit |
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