参数资料
| 型号： | NL17SHT00P5T5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE NAND SGL 2INPUT SOT953 |
| 标准包装： | 8,000 |
| 逻辑类型： | 与非门 |
| 电路数： | 1 |
| 输入数： | 2 |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 1µA |
| 输出电流高，低： | 8mA，8mA |
| 逻辑电平 - 低： | 0.53 V ~ 0.8 V |
| 逻辑电平 - 高： | 1.4 V ~ 2 V |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 7.9ns @ 4.5V ~ 5.5V，50pF |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | SOT-953 |
| 封装/外壳： | SOT-953 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NL17SHT00
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Symbol
Characteristics
Value
Unit
VCC
DC Supply Voltage
0.5 to +7.0
V
VIN
DC Input Voltage
0.5 to +7.0
V
VOUT
DC Output Voltage
VCC = 0
High or Low State
0.5 to 7.0
0.5 to VCC + 0.5
V
IIK
Input Diode Current
20
mA
IOK
Output Diode Current
VOUT < GND; VOUT > VCC
±20
mA
IOUT
DC Output Current
±25
mA
ICC
DC Supply Current, VCC and GND
50
mA
TSTG
Storage Temperature Range
*65 to )150
_C
TL
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
260
_C
TJ
Junction Temperature Under Bias
)150
_C
PD
Power Dissipation in Still Air at 85_C
50
mW
MSL
Moisture Sensitivity
Level 1
FR
Flammability Rating
Oxygen Index: 28 to 34
UL 94 V0 @ 0.125 in
ILATCHUP Latchup Performance
±100
mA
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Tested to EIA/JESD78.
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Characteristics
Min
Max
Unit
VCC
DC Supply Voltage
3.0
5.5
V
VIN
DC Input Voltage
0.0
5.5
V
VOUT
DC Output Voltage
VCC = 0
High or Low State
0.0
5.5
VCC
V
TA
Operating Temperature Range
55
+125
°C
tr , tf
Input Rise and Fall Time
VCC = 3.3 V ± 0.3 V
VCC = 5.0 V ± 0.5 V
0
100
20
ns/V
Device Junction Temperature versus
Time to 0.1% Bond Failures
Junction
Temperature °C
Time, Hours
Time, Years
80
1,032,200
117.8
90
419,300
47.9
100
178,700
20.4
110
79,600
9.4
120
37,000
4.2
130
17,800
2.0
140
8,900
1.0
1
10
100
1000
TIME, YEARS
NORMALIZED
F
AILURE
RA
TE
T J
=
130
C°
FAILURE RATE OF PLASTIC = CERAMIC
UNTIL INTERMETALLICS OCCUR
Figure 3. Failure Rate vs. Time Junction Temperature
T J
=120
C°
T J
=1
10
C°
T J
=100
C°
T J
=
90
C°
T J
=
80
C°
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NL17SHT04P5T5G | IC GATE INV BUFFER SGL SOT953 |
| NL17SHT08P5T5G | IC GATE AND SGL 2INPUT SOT953 |
| NL17SHT32P5T5G | IC GATE OR SGL 2INPUT SOT953 |
| NL17SV08XV5T2 | IC GATE AND SGL LV 2INP SOT553 |
| NL17SZ00XV5T2 | IC GATE NAND SINGLE 2INP SOT553 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NL17SHT04P5T5G | 功能描述:变换器 INVERTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| NL17SHT08P5T5G | 功能描述:逻辑门 SINGLE 2-INPUT AND GATE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| NL17SHT126P5T5G | 功能描述:缓冲器和线路驱动器 NON-INVERTING 3- STATE BUF RoHS:否 制造商:Micrel 输入线路数量:1 输出线路数量:2 极性:Non-Inverting 电源电压-最大:+/- 5.5 V 电源电压-最小:+/- 2.37 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Reel |
| NL17SHT32P5T5G | 功能描述:逻辑门 SINGLE 2-INPUT OR GATE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| NL17SV00 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Single 2-Input NAND Gate |
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