参数资料
| 型号： | NLAS3799BMNR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL DPDT 16WQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x DPDT |
| 导通状态电阻： | 400 毫欧 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.65 V ~ 4.5 V |
| 电流 - 电源： | 40µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-WFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-WQFN（1.8x2.6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NLAS3799BMNR2GOSCT |
NLAS3799B, NLAS3799BL
http://onsemi.com
6
NLAS3799B/NLAS3799BL AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0 ns)
Symbol
Parameter
Test Conditions
VCC
(V)
VIS
(V)
Guaranteed Maximum Limit
Unit
25°C
40°C to
+85
°C
Min
Typ* Max Min
Max
tON
TurnOn Time
RL = 50 W, CL = 35 pF
2.3 4.3
1.5
50
60
ns
tOFF
TurnOff Time
RL = 50 W, CL = 35 pF
2.3 4.3
1.5
30
40
ns
tBBM
Minimum BreakBeforeMake Time
VIS = 3.0
RL = 50 W, CL = 35 pF
(Figure 2)
3.0
1.5
2
15
ns
Typical @ 25, VCC = 3.6 V
CIN
Control Pin Input Capacitance
3.0
pF
CSN
SN Port Capacitance
72
pF
CD
D Port Capacitance When Switch is Enabled
220
pF
*Typical Characteristics are at 25°C.
ADDITIONAL APPLICATION CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND Unless Noted)
Symbol
Parameter
Condition
VCC
(V)
25°C
Unit
Typical
BW
Maximum OnChannel 3 dB
Bandwidth or Minimum
Frequency Response (Figure 9)
VIN centered between VCC and GND
(Figure 5)
1.65 4.5
19
MHz
VONL
Maximum Feedthrough On Loss
VIN = 0 dBm @ 100 kHz to 50 MHz
VIN centered between VCC and GND (Figure 5)
1.65 4.5
0.06
dB
VISO
OffChannel Isolation
f = 100 kHz; VIS = 1 V RMS; CL = 5.0 pF
VIN centered between VCC and GND(Figure 5)
1.65 4.5
69
dB
Q
Charge Injection Select Input to
Common I/O (Figure 8)
VIN = VCC to GND, RIS = 0 W, CL = 1.0 nF
Q = CL x DVOUT (Figure 6)
1.65 4.5
51
pC
THD
Total Harmonic Distortion
THD + Noise (Figure 7)
FIS = 20 Hz to 20 kHz, RL = Rgen = 600 W, CL = 50 pF
VIS = 2 VPP
4.3
0.042
%
VCT
ChanneltoChannel Crosstalk
(Figure 10)
f = 100 kHz; VIS = 1.0 V RMS, CL = 5.0 pF, RL = 50 W
VIN centered between VCC and GND (Figure 5)
1.65 4.5
90
dB
10.OffChannel Isolation = 20log10 (VCOM/VNO), VCOM = output, VNO = input to off switch.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NLAS3799BMUR2G | 功能描述:模拟开关 IC DPDT Analog Switch RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| NLAS3799L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual DPDT Ultra−Low RON Switch |
| NLAS3799LMNR2G | 功能描述:模拟开关 IC DPDT ANALOG SWITCH RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| NLAS3799MNR2G | 功能描述:模拟开关 IC DPDT ANALOG SWITCH RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| NLAS3899B | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual DPDT Low RON, Low Capacitance Switch |
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