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参数资料
| 型号： | NLAS5223BMNR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL SPDT 10WQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x SPDT |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.65 V ~ 4.5 V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-WFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 10-WQFN（1.4x1.8） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NLAS5223BMNR2GOSCT |
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
October, 2011 Rev. 8
1
Publication Order Number:
NLAS5223B/D
NLAS5223B, NLAS5223BL
Ultra-Low 0.35 W
Dual SPDT Analog Switch
The NLAS5223B is an advanced CMOS analog switch fabricated in
Submicron silicon gate CMOS technology. The device is a dual
Independent Single Pole Double Throw (SPDT) switch featuring
UltraLow RON of 0.35 W, at VCC = 4.3 V.
The part also features guaranteed Break Before Make (BBM)
switching, assuring the switches never short the driver.
Features
UltraLow RON, 0.35 W (typ) at VCC = 4.3 V
NLAS5223B Interfaces with 2.8 V Chipset
NLAS5223BL Interfaces with 1.8 V Chipset
Single Supply Operation from 1.654.5 V
Full 0VCC Signal Handling Capability
High OffChannel Isolation
Low Standby Current, t50 nA
Low Distortion
RON Flatness of 0.15 W
High Continuous Current Capability
320 mA Through Each Switch
Large Current Clamping Diodes at Analog Inputs
320 mA Continuous Current Capability
Package:
1.4 x 1.8 x 0.75 mm WQFN10 PbFree
1.4 x 1.8 x 0.55 mm UQFN10 PbFree
These are PbFree Devices
Applications
Cell Phone Audio Block
Speaker and Earphone Switching
RingTone Chip/Amplifier Switching
Modems
http://onsemi.com
MARKING
DIAGRAM
XXMG
G
XX
= Specific Device Code
AD = NLAS5223BMNR2G
AE = NLAS5223BLMNR2G
AP = NLAS5223BMUR2G
M
= Date Code/Assembly Location
G
= PbFree Device
WQFN10
CASE 488AQ
1
(Note: Microdot may be in either location)
1
UQFN10
CASE 488AT
XXMG
G
VCC
IN2
COM2
GND
8
9
10
12
NC1
NC2
NO1
76
5
4
3
NO2
IN1
COM1
FUNCTION TABLE
0
1
IN 1, 2
NO 1, 2
NC 1, 2
OFF
ON
OFF
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 9 of this data sheet.
ORDERING INFORMATION
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NLAS5223BMUR2G | 功能描述:模拟开关 IC NLAS5223BMUR2G RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| NLAS5223L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Ultra-Low 0.5 ohm Dual SPDT Analog Switch |
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| NLAS5223LMNR2G | 功能描述:模拟开关 IC DUAL SPDT ULTRA-LOW RON S RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| NLAS5223MNR2G | 功能描述:模拟开关 IC DUAL SPDT ULTRA-LOW RON S RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
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