参数资料
| 型号： | NLU2G17MUTCG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BUFF SCHM TRG DL N-INV 6UDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 逻辑类型： | 施密特触发器 - 缓冲器，驱动器 |
| 元件数： | 2 |
| 每个元件的位元数： | 1 |
| 输出电流高，低： | 8mA，8mA |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.2x1） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1126 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NLU2G17MUTCGOSDKR |
NLU2G17
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Conditions
VCC
(V)
TA = 25 5C
TA = +855C
TA = 555C to
+1255C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
VT+
Positive
Threshold
Voltage
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
3.6
2.2
3.15
3.85
2.2
3.15
3.85
2.2
3.15
3.85
V
VT
Negative
Threshold
Voltage
3.0
4.5
5.5
0.9
1.35
1.65
1.5
2.3
2.9
1.65
2.46
3.05
0.9
1.35
1.65
0.9
1.35
1.65
V
VH
Hysteresis
Voltage
3.0
4.5
5.5
0.30
0.40
0.50
0.57
0.67
0.74
1.20
1.40
1.60
0.30
0.40
0.50
1.20
1.40
1.60
0.30
0.40
0.50
1.20
1.40
1.60
V
VOH
Minimum
HighLevel
Output
Voltage
VIN w VT+MAX
IOH = 50 mA
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
1.9
2.9
4.4
V
VIN w VT+MAX
IOH = 4 mA
IOH = 8 mA
3.0
4.5
2.58
3.94
2.48
3.80
2.34
3.66
VOL
Maximum
LowLevel
Output
Voltage
VIN v VTMIN
IOL = 50 mA
2.0
3.0
4.5
0
0.1
V
VIN v VTMIN
IOL = 4 mA
IOL = 8 mA
3.0
4.5
0.36
0.44
0.52
IIN
Input
Leakage
Current
0 v VIN v 5.5 V
0 to
5.5
±0.1
±1.0
mA
ICC
Quiescent
Supply
Current
VIN = 5.5 V or
GND
5.5
1.0
10
40
mA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0 ns)
Symbol
Parameter
VCC
(V)
Test
Condition
TA = 25 5C
TA = +855C
TA = 555C to
+1255C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
tPLH,
tPHL
Propagation Delay,
Input A to Output Y
3.0 to
3.6
CL = 15 pF
7.0
12.8
1.0
15
1.0
17
ns
CL = 50 pF
8.5
16.3
1.0
18.5
1.0
20.5
4.5 to
5.5
CL = 15 pF
4.0
8.6
1.0
10
1.0
11.5
CL = 50 pF
5.5
10.6
1.0
12
1.0
13.5
CIN
Input Capacitance
5.0
10
pF
CPD
Power Dissipation
Capacitance (Note 3)
5.0
7.0
pF
3. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the dynamic operating current consumption without
load. Average operating current can be obtained by the equation ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC. CPD is used to determine the noload
dynamic power consumption: PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NLU2GU04BMX1TCG | 功能描述:变换器 DUAL UNBUFFD INVRTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| NLU2GU04CMX1TCG | 功能描述:变换器 DUAL UNBUFFD INVRTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| NLU2GU04MUTCG | 功能描述:变换器 HIGH SPEED CMOS DUAL UNBUFFERED INVERTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
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