参数资料
| 型号： | NLX2G86MUTCG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE EXCL-OR DUAL 2INP 8-UQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 逻辑类型： | XOR（异或） |
| 电路数： | 2 |
| 输入数： | 2 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 1µA |
| 输出电流高，低： | 32mA，32mA |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 4.2ns @ 5V，50pF |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 8-UQFN（1.6x1.6） |
| 封装/外壳： | 8-UFQFN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NLX2G86
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
VCC
(V)
TA = 255C
*405C v TA v 855C
Unit
Condition
Min
Typ
Max
Min
Max
VIH
HighLevel Input
Voltage
1.65 to 1.95
2.3 to 5.5
0.75 VCC
0.7 VCC
0.75 VCC
0.7 VCC
V
VIL
LowLevel Input
Voltage
1.65 to 1.95
2.3 to 5.5
0.25 VCC
0.3 VCC
0.25 VCC
0.3 VCC
V
VOH
HighLevel Output
Voltage
VIN = VIH
1.65
1.8
2.3
3.0
4.5
1.55
1.7
2.2
2.9
4.4
1.65
1.8
2.3
3.0
4.5
1.55
1.7
2.2
2.9
4.4
V
IOH = 100 mA
1.65
2.3
3.0
4.5
1.29
1.9
2.4
2.3
3.8
1.52
2.15
2.80
2.68
4.20
1.29
1.9
2.4
2.3
3.8
V
IOH = 4 mA
IOH = 8 mA
IOH = 16 mA
IOH = 24 mA
IOH = 32 mA
VOL
LowLevel Output
Voltage
VIN = VIL
1.65
1.8
2.3
3.0
4.5
0.0
0.1
V
IOL = 100 mA
1.65
2.3
3.0
4.5
0.08
0.10
0.15
0.22
0.24
0.30
0.40
0.55
0.24
0.30
0.40
0.55
V
IOL = 4 mA
IOL = 8 mA
IOL = 16 mA
IOL = 24 mA
IOL = 32 mA
IIN
Input Leakage Current
0 to 5.5
$1.0
mA
0 V v VIN v 5.5 V
IOFF
Power Off Leakage
Current
0.0
1.0
10
mA
VIN or VOUT = 5.5 V
ICC
Quiescent Supply
Current
1.65 to 5.5
1.0
10
mA
VIN = 5.5 V, GND
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS tR = tF = 3.0 ns
VCC
TA = 25_C
*40_C v TA v 125_C
Symbol
Parameter
Condition
(V)
Min
Typ
Max
Min
Max
Unit
tPLH
tPHL
Propagation Delay
RL = 1 MW, CL = 15 pF
1.8 $ 0.15
2.0
7.9
9.0
2.0
10.5
ns
RL = 1 MW, CL = 15 pF
2.5 $ 0.2
1.2
4.1
7.0
1.2
7.5
RL = 1 MW, CL = 15 pF
3.3 $ 0.3
0.8
3.0
4.8
0.8
5.2
RL = 500 W, CL = 50 pF
1.2
3.8
5.4
1.2
5.9
RL = 1 MW, CL = 15 pF
5.0 $ 0.5
0.5
2.2
3.5
0.5
3.8
RL = 500 W, CL = 50 pF
0.8
2.9
4.2
1.0
4.6
CAPACITIVE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Condition
Typical
Unit
CIN
Input Capacitance
VCC = 5.5 V, VI = 0 V or VCC
2.5
pF
CPD
Power Dissipation Capacitance
(Note 6)
10 MHz, VCC = 3.3 V, VI = 0 V or VCC
9
pF
10 MHz, VCC = 5.5 V, VI = 0 V or VCC
11
6. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC. CPD is used to determine the noload dynamic
power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NLX2GU04CMX1TCG | IC INVERTER DUAL UNBUFFER ULLGA6 |
| P1819BF-08ST | IC CLK EMI REDUCTION FREQ 8SOIC |
| P1P3800AG12CRTWG | IC CLOCK GENERATOR 12-WQFN |
| P1P8160AG-10CR | IC CLK GEN EMI MODULATOR 8-SOIC |
| P2042AF-08TR | 30-110MHZ 3.3V GP EMI |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NLX2GU04 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Unbuffered Inverter |
| NLX2GU04AMX1TCG | 功能描述:变换器 DUAL UNBUFF INVERTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| NLX2GU04BMX1TCG | 功能描述:变换器 DUAL UNBUFF INVERTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| NLX2GU04CMX1TCG | 功能描述:变换器 DUAL UNBUFF INVERTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| NLX3G14 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Triple Schmitt-Trigger Inverter |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。