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参数资料
| 型号： | NNCD3.3F |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 100 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | NNCD3.3F |
NNCD3.3F to NNCD12F
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 C) (A-K1, A-K2)
Type Number
Breakdown VoltageNote 1
Dynamic
Reverse Leakage
Capacitance
E.S.D Voltage
VBR (V)
ImpedanceNote 2
IR (
A)
Ct (pF)
(kV)
Zz (
)
MIN.
MAX.
IT (mA)
MAX.
IT (mA)
MAX.
VR (V)
TYP.
TEST
MIN.
TEST
CONDITION
NNCD3.3F
3.10
3.50
5
130
5
20
1.0
220
30
NNCD3.6F
3.40
3.80
5
130
5
10
1.0
210
30
NNCD3.9F
3.70
4.10
5
130
5
10
1.0
200
30
NNCD4.3F
4.01
4.48
5
130
5
10
1.0
180
30
NNCD4.7F
4.42
4.90
5
130
5
10
1.0
170
30
NNCD5.1F
4.84
5.37
5
130
5
1.5
160
30
C = 150 pF
NNCD5.6F
5.31
5.92
5
80
5
2.5
140
VR = 0 V
30
R = 330
NNCD6.2F
5.86
6.53
5
50
5
2
3.0
120
f = 1 MHz
30
(IEC1000
NNCD6.8F
6.47
7.14
5
30
5
2
3.5
110
30
-4-2)
NNCD7.5F
7.06
7.84
5
30
5
2
4.0
90
30
NNCD8.2F
7.76
8.64
5
30
5
2
5.0
90
30
NNCD9.1F
8.56
9.55
5
30
5
2
6.0
90
30
NNCD10F
9.45
10.55
5
30
5
2
7.0
80
30
NNCD11F
10.44
11.56
5
30
5
2
8.0
70
30
NNCD12F
11.42
12.60
5
35
5
2
9.0
70
30
Notes 1. Tested with pulse (40 ms)
2. Zz is measured at IT give a small A.C. signal.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NNCD3.6E-A | 100 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| NNCD4.7E-T1B | SILICON, TVS DIODE |
| NNCD6.2E-T2B | SILICON, TVS DIODE |
| NNCD6.8H-A | 85 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| NNCD9.1F-T2B | 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NNCD36DA | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODE 2-PIN SUPER MINI MOLD |
| NNCD36J | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:ESD NOISE CLIPPING DIODE |
| NNCD39DA | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODE 2-PIN SUPER MINI MOLD |
| NNCD4.3A | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 400 mW TYPE |
| NNCD4.3B | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 500 mW TYPE |
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