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参数资料
| 型号： | NNCD3.3F |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 100 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | NNCD3.3F |
NNCD3.3F to NNCD12F
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°C)
0
250
200
150
100
50
0
25
50
75
TA - Ambient Temperature - °C
P
-
Power
Dissipation
-
mW
100
125
150
Fig. 1 POWER DISSIPATION vs. AMBIENT TEMPERATURE
100 m
10 m
1 m
100
10
1
100 n
10 n
1 n
0123456789 10
VBR - Breakdown Voltage - V
IT
-
On
State
Current
-
A
0789 10 11 12 13 14 15
VBR - Breakdown Voltage - V
IT
-
On
State
Current
-
A
NNCD9.1F
NNCD8.2F
NNCD7.5F
NNCD6.8F
NNCD3.3F
NNCD3.9F
NNCD4.3F
NNCD4.7F
100 m
10 m
1 m
100
10
1
100 n
10 n
1 n
NNCD5.1F
NNCD5.6F
NNCD6.2F
NNCD12F
NNCD10F
NNCD11F
Fig. 2 IT - VBR CHARACTERISTICS
Fig. 3 IT - VBR CHARACTERISTICS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NNCD3.6E-A | 100 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| NNCD4.7E-T1B | SILICON, TVS DIODE |
| NNCD6.2E-T2B | SILICON, TVS DIODE |
| NNCD6.8H-A | 85 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| NNCD9.1F-T2B | 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NNCD36DA | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODE 2-PIN SUPER MINI MOLD |
| NNCD36J | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:ESD NOISE CLIPPING DIODE |
| NNCD39DA | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODE 2-PIN SUPER MINI MOLD |
| NNCD4.3A | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 400 mW TYPE |
| NNCD4.3B | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 500 mW TYPE |
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