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参数资料
| 型号： | NP109N04PUJ-E1B-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP109N04PUJ
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
5
4
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
3
10000
C iss
C oss
2
1000
C rss
1
V GS = 10 V
I D = 55 A
V GS = 0 V
0
Pulsed
100
f = 1 MHz
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
40
35
16
14
100
10
t d(off)
t d(on)
t r
t f
30
25
20
15
V DD = 32 V
20 V
8V
V GS
12
10
8
6
1
V DD = 20 V
V GS = 10 V
R G = 0 Ω
10
5
0
V DS
I D = 110 A
4
2
0
0.1
1
10
100
1000
0
20
40
60
80
100
120
140
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
100
0V
1000
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
10
V GS = 10 V
10
1
0.1
Pulsed
1
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
1000
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D19728EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NP109N055PUJ-E1B-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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