参数资料
| 型号： | NP1100SAT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC THY SURGE PROTECTOR 110V SMB |
| 产品变化通告： | TSPD Discontinuation 10/Jul/2012 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 击穿： | 130V |
| 电压 - 断路： | 90V |
| 电压 - 导通状态： | 4V |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 50A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 58pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP Series
SURGE RATINGS
Characteristics
Nominal Pulse
Surge Short Circuit Current Non – Repetitive
Double Exponential Decay Waveform (Notes 5, 6 and 7)
2 x 10 m Sec
10 x 160 m Sec
10 x 360 m Sec
10 x 560 m Sec
10 x 700 m Sec
10 x 1000 m Sec
Symbol
I PPS1
I PPS3
I PPS4
I PPS5
I PPS6
I PPS7
A
150
90
75
50
75
50
B
250
150
125
100
100
80
C
500
200
150
150
200
100
Unit
A(pk)
5. Allow cooling before testing second polarity.
6. Measured under pulse conditions to reduce heating.
7. Nominal values may not represent the maximum capability of a device.
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
T STG
T J
R 0JA
Rating
Storage Temperature Range
Operating Temperature Range
Thermal Resistance: Junction ? to ? Ambient Per EIA/JESD51 ? 3, PCB = FR4 3”x4.5”x0.06”
Fan out in a 3x3 inch pattern, 2 oz copper track.
Value
? 65 to +150
? 40 to +150
90
Unit
° C
° C
° C/W
+I
100
Peak
Value
t r = rise time to peak value
t f = decay time to half value
I T
I (BO)
I H
50
0
0 t r
t f
Half Value
? Voltage
V T
+Voltage
V DRM V (BO)
TIME ( m s)
Figure 1. Exponential Decay Pulse Waveform
? I
Figure 2. Voltage Current Characteristics of TSPD
Symbol
V DRM
V (BO)
I (BO)
I H
V T
I T
Parameter
Peak Off State Voltage
Breakover Voltage
Breakover Current
Holding Current
On State Voltage
On State Current
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP0900SBT3G | IC THY SURGE PROTECTOR 85V SMB |
| SSQ-121-02-G-D-RA | CONN RCPT .100" 42PS DL R/A GOLD |
| NP0900SAT3G | IC THY SURGE PROTECTOR 85V SMB |
| SSQ-123-01-S-D | CONN RCPT .100" 46POS DUAL GOLD |
| NP0720SCT3G | IC THY SURGE PROTECTOR 75V SMB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP1100SBMCT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP1100SBT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 80A 110V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP1100SCMCT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 TSPD NP 110V LO CAP RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP1100SCT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 100A 110V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP110N03PUG-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。