参数资料
| 型号： | NP1100SAT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC THY SURGE PROTECTOR 110V SMB |
| 产品变化通告： | TSPD Discontinuation 10/Jul/2012 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 击穿： | 130V |
| 电压 - 断路： | 90V |
| 电压 - 导通状态： | 4V |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 50A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 58pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP Series
ORDERING INFORMATION
Part Number
NP0640SAT3G
NP0640SBT3G
NP0640SCT3G
NP0720SAT3G
NP0720SBT3G
NP0720SCT3G
NP0900SAT3G
NP0900SBT3G
NP0900SCT3G
NP1100SAT3G
NP1100SBT3G
NP1100SCT3G
NP1300SAT3G
NP1300SBT3G
NP1300SCT3G
NP1500SAT3G
NP1500SBT3G
NP1500SCT3G
NP1800SAT3G
NP1800SBT3G
NP1800SCT3G
NP2100SAT3G
NP2100SBT3G
NP2100SCT3G
NP2300SAT3G
NP2300SBT3G
NP2300SCT3G
NP2600SAT3G
NP2600SBT3G
NP2600SCT3G
NP3100SAT3G
NP3100SBT3G
NP3100SCT3G
NP3500SAT3G
NP3500SBT3G
NP3500SCT3G
Marking
064A
064B
064C
072A
072B
072C
090A
090B
090C
110A
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210A
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230A
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260A
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310A
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350A
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Case
SMB
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape and Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP0900SBT3G | IC THY SURGE PROTECTOR 85V SMB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP1100SBMCT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP1100SBT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 80A 110V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP1100SCMCT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 TSPD NP 110V LO CAP RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP1100SCT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 100A 110V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP110N03PUG-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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