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参数资料
| 型号： | NP110N04PDG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 390nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP110N04PDG
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
SYMBOL
I DSS
I GSS
TEST CONDITIONS
V DS = 40 V, V GS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
MIN.
TYP.
MAX.
1
± 100
UNIT
μ A
nA
Gate to Source Threshold Voltage
Note
Forward Transfer Admittance
Note
V GS(th)
| y fs |
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V DS = 10 V, I D = 55 A
1.5
45
2.0
89
2.5
V
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
R DS(on)1
R DS(on)2
V GS = 10 V, I D = 55 A
V GS = 4.5 V, I D = 55 A
1.4
2.1
1.8
3.2
m Ω
m Ω
Input Capacitance
C iss
V DS = 25 V
14500 25700
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q G
Q GS
Q GD
V GS = 0 V
f = 1 MHz
V DD = 20 V, I D = 55 A
V GS = 10 V
R G = 0 Ω
V DD = 32 V
V GS = 10 V
I D = 110 A
1360
810
46
124
122
19
230
42
75
2130
1610
120
350
260
60
390
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
I F = 110 A, V GS = 0 V
I F = 110 A, V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
0.9
55
72
1.5
V
ns
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
D.U.T.
R G = 25 Ω
50 Ω
L
V DD
PG.
D.U.T.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
0
10%
V GS
90%
V GS = 20 → 0 V
V DS
90%
90%
V DD
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS
0
τ
V DS
Wave Form
V DS
0
t d(on)
10%
t r
10%
t d(off)
t f
Starting T ch
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
2
PG.
50 Ω
V DD
Data Sheet D17561EJ2V0DS
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