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参数资料
| 型号： | NP110N055PUJ-E2B-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.4 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 230nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1 st , 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1 st , 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by: Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP15P06SLG-E1-AY | MOSFET P-CH -60V MP-3ZK/TO-252 |
| NP160N04TUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
| NP161N04TUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
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| NP22N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 22A TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP110N055PUK | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP110N055PUK-E1-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 |
| NP111-273K | 制造商:YAMAICHI 功能描述: 制造商:Yamaichi Electronics 功能描述: |
| NP112 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 2-G, 1) TOG 1) .406 OPNG, BR |
| NP112AL | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 2-G, 1) TOG 1) .406 OPNG, AL |
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