- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录484 > NP22N055SLE-E1-AY (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 55V 22A TO-252 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NP22N055SLE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 22A TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1 st , 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1 st , 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by: Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)
Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP32N055SHE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 |
| NP32N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 |
| NP34N055SHE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 |
| NP34N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 |
| NP36N055SHE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 36A TO252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP22N055-SLE-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP-22-U7/8-HP | 制造商:Bahco 功能描述: |
| NP23 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 2-G, 2 BOX MT BLANK, BR |
| NP2300SAMCT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP2300SAT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 230V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。