- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录484 > NP22N055SLE-E1-AY (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 55V 22A TO-252 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NP22N055SLE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 22A TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP22N055HLE, NP22N055ILE, NP22N055SLE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100
Pulsed
60
Pulsed
50
10
V GS =10 V
1
T A = ? 40 ?C
25 ?C
75 ?C
150 ?C
40
30
4.5 V
5.0 V
175?C
20
0.1
10
0.01
1.0
V DS = 10 V
2.0 3.0 4.0 5.0
6.0
0
0
1
2
3
4
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
100
10
T A = 175 ?C
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
80
Pulsed
70
60
50
1
0.1
75 ?C
25 ?C
? 40 ?C
40
30
20
I D = 11 A
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
I D - Drain Current - A
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
80
70
Pulsed
3.0
2.5
V DS = V GS
I D = 250 μ A
60
50
40
V GS = 4.5 V
5.0 V
10 V
2.0
1.5
30
1.0
20
10
0.5
0
0.1
1
10
100
0
? 50
0
50
100
150
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D14136EJ4V0DS
T ch - Channel Temperature - ?C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP32N055SHE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 |
| NP32N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 |
| NP34N055SHE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 |
| NP34N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 |
| NP36N055SHE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 36A TO252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP22N055-SLE-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP-22-U7/8-HP | 制造商:Bahco 功能描述: |
| NP23 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 2-G, 2 BOX MT BLANK, BR |
| NP2300SAMCT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP2300SAT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 230V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。