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参数资料
| 型号： | NP22N055SLE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 22A TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP22N055HLE, NP22N055ILE, NP22N055SLE
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-251 (JEITA) / MP-3
2) TO-252 (JEITA) / MP-3Z
6.5 ± 0.2
5.0 ± 0.2
2.3 ± 0.2
0.5 ± 0.1
6.5 ± 0.2
5.0 ± 0.2
2.3 ± 0.2
0.5 ± 0.1
4
4
1
2
3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
1
2
3
0.9 MAX.
0.8 MAX.
2.3 TYP.
? 0.1
0.5 + 0.2
2.3 TYP.
? 0.1
0.5 + 0.2
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
2.3 TYP.
2.3 TYP.
0.8 TYP.
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
3) TO-252 (JEDEC) / MP-3ZK
6.5 ± 0.2
5.1 TYP.
2.3 ± 0.1
0.5 ± 0.1
4
4.3 MIN.
No Plating
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
1
2
3
No Plating
Gate
Body
Diode
1.14 MAX.
2.3
2.3
0.76 ± 0.12
1. Gate
2. Drain
1.0
0 to 0.25
0.5 ± 0.1
Gate
Protection
Diode
Source
3. Source
4. Fin (Drain)
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When
this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated
voltage may be applied to this device.
6
Data Sheet D14136EJ4V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP32N055SHE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 |
| NP32N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 |
| NP34N055SHE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 |
| NP34N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 |
| NP36N055SHE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 36A TO252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP22N055-SLE-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP-22-U7/8-HP | 制造商:Bahco 功能描述: |
| NP23 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 2-G, 2 BOX MT BLANK, BR |
| NP2300SAMCT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP2300SAT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 230V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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