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参数资料
| 型号： | NP110N04PUJ-E1B-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 230nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP110N04PUJ
500
400
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
100
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
300
200
10
1
0.1
T A = ? 55 ° C
25 ° C
85°C
150°C
175°C
100
V GS = 10 V
0.01
V DS = 10 V
0
Pulsed
0.001
Pulsed
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
2
3
4
5
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
4
1000
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
3
2
1
100
10
T A = ? 55 ° C
25 ° C
85°C
150°C
175°C
0
V DS = V GS
I D = 250 μ A
1
V DS = 5 V
Pulsed
-100
-50
0
50
100
150
200
1
10
100
1000
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
5
V GS = 10 V
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
5
I D = 55 A
4
3
2
1
0
Pulsed
4
3
2
1
0
Pulsed
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D19730EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP110N055PUG-E2-AY | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 |
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| NP161N04TUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP110N04PUJ-E2B-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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