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参数资料
| 型号： | NP15P06SLG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -60V MP-3ZK/TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP15P06SLG
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
TO-252 (MP-3ZK)
4
6.5 ± 0.2
5.1 TYP.
4.3 MIN.
2.3 ± 0.1
0.5 ± 0.1
No Plating
1
2
3
No Plating
1.14 MAX.
2.3
2.3
0.76 ± 0.12
0 to 0.25
0.5 ± 0.1
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Body
1.0
Gate
Gate
Protection
Diode
Source
Diode
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding
the rated voltage may be applied to this device.
6
Data Sheet D19078EJ2V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP160N04TUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
| NP161N04TUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
| NP180N04TUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7 |
| NP22N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 22A TO-252 |
| NP32N055SHE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP15P06SLG-E2-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP16 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:16 AMPERE SILICON RECTIFIER |
| NP1-6 | 制造商:Dantona Industries 功能描述:ENERSYS NP1-6 6 VOLT SEALED LEAD ACID BATTERY 制造商:YUASA 功能描述:BATTERY 6V 1AH 制造商:Yuasa Battery Inc 功能描述:BATTERY, 6V, 1AH |
| NP160CR832K12E | 制造商:NYLOK 功能描述: |
| NP160N04TDG | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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