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参数资料
| 型号： | NP36N055SHE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 36A TO252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP36N055HHE, NP36N055IHE, NP36N055SHE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100 Pulsed
Pulsed
200
10
160
1
120
V GS = 10 V
0.1
T A = ? 55 ?C
25 ?C
75 ?C
150 ?C
175?C
80
40
0.01
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100
V DS =10V
Pulsed
40
35
Pulsed
10
T A = 175 ?C
75 ?C
30
25
1
0.1
25 ?C
? 55 ?C
20
15
10
5
I D = 18 A
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0
5
10
15
20
I D - Drain Current - A
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
40
35
30
25
20
15
10
5
V GS = 10 V
Pulsed
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V DS = V GS
I D = 250 μ A
0
1
10
100
1000
0
? 50
0
50
100
150
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D14152EJ4V0DS
T ch - Channel Temperature - ?C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP36N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 36A TO-252 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP36N055SLE-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 36A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP36N10SDE | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP36N10SDE-E1-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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