- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录484 > NP36N055SHE-E1-AY (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 55V 36A TO252 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NP36N055SHE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 36A TO252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP36N055HHE, NP36N055IHE, NP36N055SHE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
45
40
Pulsed
100
Pulsed
35
30
10
V GS = 10 V
25
20
15
10
5
V GS = 10 V
1
0.1
V GS = 0 V
0
? 50
0
50
100
I D = 18 A
150
0.01
0
0.5
1.0
1.5
T ch - Channel Temperature - ?C
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
V SD - Source to Drain Voltage - V
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
10000
SOURCE VOLTAGE
V GS = 0 V
1000
f = 1 MHz
t f
C iss
1000
C oss
100
t r
t d(off)
t d(on)
100
C rss
10
1
10
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
I D - Drain Current - A
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
DRAIN CURRENT
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
80
70
16
14
100
60
50
V DD = 44 V
28 V
11 V
V GS
12
10
40
30
8
6
10
20
4
10
V DS
I D = 36 A
2
1
0.1
1.0
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
I F - Drain Current - A
Data Sheet D14152EJ4V0DS
Q G - Gate Charge - nC
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP36N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 36A TO-252 |
| NP36P04KDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V -36A TO-263 |
| NP36P04SDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V -36A TO-252 |
| NP36P06KDG-E1-AY | MOSFET P-CH -60V -36A TO-263 |
| NP40N055MLE-S18-AY | MOSFET N-CH 55V 40A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP36N055SLE-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 36A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP36N10SDE | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP36N10SDE-E1-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP36N10SDE-E2-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP36P04KDG | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。