- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录484 > NP36P04KDG-E1-AY (Renesas Electronics America)MOSFET P-CH -40V -36A TO-263 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NP36P04KDG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -40V -36A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 55nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP36P04KDG
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
120
100
80
60
40
20
0
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
80
70
60
50
40
30
20
10
0
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
0
25
50
75
100 125 150 175 200
0
25
50
75
100 125 150 175 200
-1000
T ch - Channel Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
-100
I D(pulse)
PW
i
=1
00
μ s
-10
I D(DC)
DC
R DS(on) Limited
(V GS = ? 10 V)
-1
-0.1
T C = 25 ° C
Single Pulse
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
1
R th(ch-A) = 83.3 ° C/W i
R th(ch-C) = 2.68 ° C/W i
0.1
Single Pulse
0.01
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D18686EJ3V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP36P04SDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V -36A TO-252 |
| NP36P06KDG-E1-AY | MOSFET P-CH -60V -36A TO-263 |
| NP40N055MLE-S18-AY | MOSFET N-CH 55V 40A TO-220 |
| NP50P04KDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V -50A TO-263 |
| NP50P04SDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V -50A TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP36P04KDG-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP36P04SDG-E1-AY | 功能描述:MOSFET P-CH -40V -36A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP36P06KDG | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP36P06KDG-E1-AY | 功能描述:MOSFET P-CH -60V -36A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP36P06KDG-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。