型号: | NP36P04KDG-E1-AY |
厂商: | Renesas Electronics America |
文件页数: | 6/9页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET P-CH -40V -36A TO-263 |
标准包装: | 800 |
FET 型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 40V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 36A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 17 毫欧 @ 18A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 2800pF @ 10V |
功率 - 最大: | 1.8W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装: | TO-263 |
包装: | 带卷 (TR) |