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参数资料
| 型号： | NP55N055SDG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 55A TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 28A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 96nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP55N055SDG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
20
18
16
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 4.5 V
10 V
I D = 28 A
Pulsed
1000
100
C iss
C oss
C rss
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
50
10
100
10
V DD = 28 V
V GS = 10 V
R G = 0 ?
t d(off)
t d(on)
t r
t f
45
40
35
30
25
20
15
10
5
V DD = 44 V
28 V
11 V
V DS
V GS
I D = 55 A
8
6
4
2
1
0
0
0.1
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
1000
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
100
V GS = 10 V
10
1
4.5 V
0V
0.1
0.01
Pulsed
10
V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
0
0.2 0.4 0.6
0.8
1
1.2 1.4 1.6
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D16864EJ2V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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