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参数资料
| 型号： | NP80N04PLG-E1B-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP80N04PLG-E1B-AYDKR |
NP80N04MLG, NP80N04NLG, NP80N04PLG
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
1000
SWITCHING CHARACTERISTICS
10000
1000
C iss
C oss
100
10
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = 0 V
C rss
V DD = 20 V
V GS = 10 V
t f
100
f = 1 MHz
1
R G = 0 Ω
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I D - Drain Current - A
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
50
10
1000
40
30
20
V DD = 32 V
20 V
8V
V GS
8
6
4
100
10
1
10 V
4.5 V
V GS = 0 V
10
V DS
I D = 80 A
2
0.1
Pulsed
0
0
0.01
0
20
40
60
80
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
100
10
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
0.1
1
10
100
I F - Diode Forward Current - A
Data Sheet D19797EJ1V0DS
7
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| NP80N04PUG-E2B-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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