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参数资料
| 型号： | NP80N055MHE-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
NP80N055EHE, NP80N055KHE, NP80N055CHE, NP80N055DHE, NP80N055MHE, NP80N055NHE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
24
Pulsed
1000
Pulsed
20
16
100
V GS = 10 V
12
V GS = 10 V
10
0V
8
1
4
0
? 50
0
50
100
I D = 40 A
150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
T ch - Channel Temperature - ° C
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
10000
V GS = 0 V
1000
f = 1 MHz
C iss
t f
1000
100
t d(off)
100
C oss
C rss
10
t r
V DD = 28 V
t d(on)
10
1
V GS = 10 V
R G = 1 Ω
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I D - Drain Current - A
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
di/dt = 100 A/ μ s
80
16
V GS = 0 V
14
100
60
40
V DD = 44 V
28 V
11 V
V GS
12
10
8
10
20
V DS
6
4
2
1
0.1
1.0
10
100
0
0
10
20
30
I D = 80 A
40
6
I F - Diode Forward Current - A
Data Sheet D14096EJ7V0DS
Q G - Gate Charge - nC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP80N055MLE-S18-AY | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP80N055MLE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP80N055MLE-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP80N055NDG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N055NDG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP80N055NHE | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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